——(2022)最高法知行終41호

 

실용신안 전리의 기술분야를 확정할 때, 청구범위에 한정된 기술안을 대상으로 해야 하고, 주제명칭을 출발점으로 하여 전리 기술안의 기능과 용도를 종합적으로 고려해야 한다. 전리 기술안과 기능, 용도가 근접한 기술분야는 전리 기술분야의 근접한 기술분야에 해당되며; 전리 기술안과 가장 근접한 선행기술의 상이한 기술적 특징이 적용되는 기술분야는 전리 기술분야의 관련 기술분야에 해당된다.

 

행정, 실용신안 전리권 무효, 진보성, 근접한 기술분야, 관련 기술분야

 

진모건은 전리 번호가 201620169331.2이고, 명칭이 ‘알루미늄 게이트 CMOS 이중층 금속 배선의 레이아웃 구조’인 실용신안 전리의 전리권자이다. 2020년 7월 15일, 심천시 모 회사는 본 전리권에 대해 무효 선고 청구를 제출하였다. 2021년 1월 4일, 국가지식재산권국은 제47707호 무효 선고 청구 심사 결정을 내렸으며, 본 전리권의 유효를 선고하였다. 심천시 모 회사는 이에 불복하여 소송을 제기하여, 피소 결정을 취소하고 국가지식재산권국에서 다시 결정을 내리도록 판정할 것을 청구하였다.

1심 법원에서는 2021년 9월 22일 심천시 모 회사의 소송 청구를 기각한다는 행정 판결을 내렸다. 심천시 모 회사가 상소를 제기하였고 최고 인민 법원에서는 2022년 12월 29일 다음과 같은 (2022)最高法知行終41호 행정 판결을 내렸다. 1, 1심법원의 행정판결을 취소하며; 2, 국가지식재산권국의 제 47707호 무효 선고 청구 심사 결정을 취소하며; 3, 국가지식재산권국은 심천시 모 회사가 전리 번호가 201620169331.2이고, 명칭이 ‘알루미늄 게이트 CMOS 이중층 금속 배선의 레이아웃 구조’인 실용신안 전리에 대해 제기한 무효 선고 청구에 대해 다시 심사 결정을 내린다.

법원의 효력 발생 판결은, 기술분야의 확정에 있어서 청구범위에 한정된 내용을 기준으로 해야 하며, 일반적으로 전리의 주제명칭을 바탕으로 기술안에 의해 실현되는 기술적 기능 및 용도를 결합하여 확정해야 한다고 판단하였다. 근접한 기술분야는 일반적으로 실용신안 전리 제품의 기능 및 용도와 근접한 분야를 말하며, 관련 기술분야는 일반적으로 실용신안 전리와 가장 근접한 선행기술이 상이한 기술적 특징이 적용되는 기술분야를 말한다.

본 전리 청구항 1에서 보호하고자 하는 것은 알루미늄 게이트 CMOS 이중층 금속 배선의 레이아웃 구조로서, 선행기술에서 단층 금속의 알루미늄 게이트 CMOS 공정으로 설계된 제품의 집적도가 낮다는 문제를 해결하는 것을 목표로 한다. 상기 문제를 해결하기 위하여 본 전리 청구항 1의 기술적 수단은 주로 기존의 단층 알루미늄 게이트 CMOS 금속 배선 구조의 용접점(입출력 PAD, 전원 및 접지 PAD)을 제2층 금속구조로 제1층 금속구조 위에 설치하여, 즉 알루미늄 게이트 CMOS 구조 위에 설치하여, 알루미늄 게이트 CMOS 집적도를 향상시키는 것이다. 본 전리 청구항 1의 레이아웃 구조의 진보성을 평가하기 위하여, 1심 판결 및 피소결정은, 모두 실리콘 게이트와 알루미늄 게이트의 게이트 재료가 상이하다는 점을 바탕으로 실리콘 게이트 COMS 집적회로와 알루미늄 게이트 COMS 집적회로가 서로 다른 기술분야에 속한다고 인정하였으며, 나아가 양자의 기술안이 실질적으로 동일하지 않고 본 전리 청구항 1은 진보성을 구비한다고 인정하였다. 본 전리 청구항 1과 증거 1, 2, 3, 5, 6, 7의 상이한 기술적 특징은 증거 1, 2, 3, 5, 6, 7이 모두 실리콘 게이트 CMOS 금속 배선 구조이며 '알루미늄 게이트'와 관련된 내용은 공개되지 않았다는 것이다. 반도체 산업 초기에는 일반적으로 알루미늄이 CMOS의 게이트 재료로 사용되었으며, 그 후에 실리콘이 게이트 재료로 널리 사용되었다. 비록 알루미늄에서 실리콘으로의 게이트 재료의 발전은 반도체 장치의 개량이 맞지만, 알루미늄 게이트와 실리콘 게이트의 차이는 본 전리에서 채택한 이중층 금속 배선 레이아웃 구조의 기술안에 실질적인 영향을 미치지 않으며 게이트 재료의 선택은 본 전리에 대한 기술적 기여로 간주되어서는 안 된다. 따라서 본 전리는 실리콘 게이트 COMS 이중층 금속 배선 구조와 동일한 기능 및 유사한 용도를 갖고 있으며, COMS 집적도를 향상시키는 원리는 기본적으로 동일하므로, 실리콘 게이트 COMS 이중층 금속 배선 구조를 본 전리의 동일 또는 근접 기술분야로 간주할 수 있다. 피소결정과 1심 판결은 본 전리의 진보성을 평가할 때 실리콘 게이트 CMOS 이중층 금속 배선 구조를 고려하지 않았으며, 이는 법률 적용상 착오에 해당된다.

출처: 최고인민법원 지식재산권법정

https://ipc.court.gov.cn/zh-cn/news/view-3515.html